ASM申请用于沉积含硼层的方法和系统专利, 通过等离子体增强原子层沉积工艺在衬底上形成包括碳氮化硼的层

国家知识产权局信息显示，ASMIP私人控股有限公司申请一项名为“用于沉积含硼层的方法和系统”的专利，公开号CN122256921A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，提供了通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）工艺在衬底上形成包括碳氮化硼的层的方法。该方法包括执行多个沉积循环。沉积循环包括卤化硼前体脉冲和含碳前体脉冲，卤化硼前体脉冲包括将衬底暴露于硼前体，含碳前体脉冲包括将衬底暴露于含碳前体。沉积循环还包括等离子体脉冲，等离子体脉冲包括将衬底暴露于等离子体处理。等离子体处理包括生成等离子体。

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